Silicijumske PIN fotodiode

Proizvodimo PIN fotodiode na podlogama n- i p-tipa, jednoelementne i kvadrantne, s aktivnim oblastima od 0.8 mm² do 80 mm². Druge veličine mogu se dobiti po narudžbini.

Fotodiode n-tipa

Naše PIN diode n-tipa optimizovane su za detekciju bliskog infracrvenog zračenja na talasnoj dužini od 900nm. Fotodioda obasjana vidlјivim ili bliskim infracrvenimm zračenjem ponaša se kao strujni izvor čija je fotostruja srazmerna snazi zračenja. Inverzna polarizacija povećava paralelnu unutrašnju otpornost i smanjuje kapacitivnost diode. Smanjenje kapacitivnosti i otpora opterećenja RL smanjuje vreme odziva. Niska kapacitivnost sa relativno niskom polarizacijom postižu se korišćenjem izuzetno čistog silicijum avisoke otpornosti za baznu I-oblast diode (> 2 kWcm). Fluks pozadinskog zračenja povećava struju šuma, zbog toga se rpeporučuju filtri ili zamračivanje da bi se smanjilo ovo zračenje.

		FD08N	FD5N FD5N1	FD80N
tip		N	N	N
aktivna površina (mm2)		0.8	5	80
kućište		TO-18	TO-5	TO-25
napon napajanja (V)		45	45	45
probojni napon (V)		100	100	100
struja mraka (nA)	tipično	2	20	50
	maks	20	50	300
osetlјivost (A/W)	900 nm tipično	0.60	0.60	0.60
	900 nm min.	0.50	0.50	0.50
	1060 nm tipično	0.15	0.15	0.15
	1060 nm min.	0.10	0.10	0.10
NEP (10-12Hz1/2)	900 nm tipično	<1	<1.5	5
	900 nm maks	5	7	20
	1060 nm tipično	<4	<4	20
	1060 nm maks.	20	20	80
kapacitivnost (pF)	tipično	2.5	8	70
	maks	3	10	120
vreme odziva (ns)	900 nm	31)	51)	101)

1) Na 50% amplitude

 

Snimite pdf verzije kataloških stranica za naše diode n-tipa:

Si PIN dioda n-tipa, aktivna površina 0.8 mm²
Si PIN dioda n-tipa, aktivna površina 5 mm^2, standardne visine ili sa niskim kućištem
Si PIN dioda n-tipa, aktivna površina 80 mm²

 

Fotodiode p-tipa

Naše PIN diode p-tipa optimizovane su za detekciju bliskog infracrvenog zračenja na talasnoj dužini od 1060 nm. Fotodioda obasjana vidlјivim ili bliskim infracrvenimm zračenjem ponaša se kao strujni izvor čija je fotostruja srazmerna snazi zračenja. Inverzna polarizacija povećava paralelnu unutrašnju otpornost i smanjuje kapacitivnost diode. Smanjenje kapacitivnosti i otpora opterećenja RL smanjuje vreme odziva. Niska kapacitivnost sa relativno niskom polarizacijom postižu se korišćenjem izuzetno čistog silicijum avisoke otpornosti za baznu I-oblast diode (> 10 kWcm). Fluks pozadinskog zračenja povećava struju šuma, zbog toga se rpeporučuju filtri ili zamračivanje da bi se smanjilo ovo zračenje. Uticaj širine prelazne oblasti i uticaj preslušavanja između kvadranta minimalizovani su za naše kvadrantne PIN diode.

 

		FD5P FD5P1	QDY7P 3)	QDY80P 3)
tip		P	P	P
aktivna površina (mm2)		5	7	80
kućište		TO-5	TO-5, 8	TO-25
napon napajanja (V)		200	200	200
probojni napon (V)		250	250	250
struja mraka (nA)	tipično	20	10	100
	maks	100	50	1000
osetlјivost (A/W)	900 nm tipično	0.60	0.60	0.60
	900 nm min.	0.50	0.50	0.50
	1060 nm tipično	0.45	0.45	0.45
	1060 nm min.	0.40	0.40	0.40
NEP (10-12Hz1/2)	900 nm tipično	<1.5	<1.5	5
	900 nm maks	10	7	40
	1060 nm tipično	<2.5	<2.5	7
	1060 nm maks.	15	12	60
kapacitivnost (pF)	tipično	2.5	1.2	7
	maks	3	1.4	10
vreme odziva (ns)	1060 nm	<112)	<112)	<202)

2) 10% - 90% amplitude
3) po kvadrantu

 

Snimite pdf verzije kataloških stranica za naše diode p-tipa:

Si PIN dioda p-tipa, aktivna površina 5 mm^2, standardne visine ili sa niskim kućištem
kvadrantna Si PIN dioda p-tipa, aktivna površina 7 mm²
 kvadrantna Si PIN dioda p-tipa, aktivna površina 80 mm²